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產(chǎn)品中心專用儀器儀表DP-CS150電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x
電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
product
產(chǎn)品分類電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量?jī)x 型號(hào):DP-CS150
DP-CS電化學(xué)作站采用浮地式，具有出色的穩(wěn)定性和確度，的硬件和能善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等域的科作者提供了的科研平臺(tái)。
具體應(yīng)用于：
（1） 電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
（2）電化學(xué)分析研究；
（3）能源材料（鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等）、能材料以及傳感器的性能研究；
（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件特點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換器
● 內(nèi)置FRA頻響分析儀，頻率范圍 10μHz ~1MHz
● 帶寬輸入阻抗的放大器
● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
● 率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
● 電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可擴(kuò)展至±200V）
● 電流控制范圍：±2.0A（可擴(kuò)展至±5.0A）
● 電位分辨率：10μV，電流分辨率：10pA（可延伸至100fA）
軟件特點(diǎn)
① 數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等；
化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③ 定時(shí)測(cè)量
測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能， 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，提實(shí)驗(yàn)效率。
恒電位控制范圍：±10V 恒電流控制范圍：±2.0A
電位控制度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV 電流控制度：0.1%×滿量程讀數(shù)
電位靈敏度：10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) 電流靈敏度：<10pA
電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) 電流量程：2A～200nA, 共8檔
參比電輸入阻抗：1012Ω||20pF zui大輸出電流：2.0A
槽壓輸出：±21V 電流掃描增量：1mA @1A/mS
CV和LSV掃描速度：0.01mV～10000V/s 電位掃描電位增量：0.076mV @1V/mS
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz CV的zui小電位增量：0.075mV
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit @1kHz 電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS 低通濾波器 ：8段可編程
通訊接口：USB2.0 儀器重量：6.5Kg
外形尺寸（cm）：36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)
信號(hào)發(fā)生器
頻率響應(yīng)：10μHz～115KHz 交流信號(hào)幅值：1mV～2500mV
頻率確度：0.005% 直流偏壓：-10V～+10V
DDS輸出阻抗：50Ω 波形：正弦波，三角波，方波
正弦波失真率：<1% 掃描方式：對(duì)數(shù)/線性，增加/下降
信號(hào)分析器
zui大積分時(shí)間：106個(gè)循環(huán)或者105S 測(cè)量時(shí)間延遲：0～105秒
zui小積分時(shí)間：10mS 或者個(gè)循環(huán)的zui長(zhǎng)時(shí)間
直流偏置補(bǔ)償
電位補(bǔ)償范圍：-10V～+10V 電流補(bǔ)償范圍：-1A～+1A
帶寬調(diào)整：自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)
能方法 DP-CS120 DP-CS150 DP-CS300 DP-CS310 DP-CS350 DP-CS360
穩(wěn)態(tài)化 開路電位測(cè)量（OCP） ● ● ● ● ● ●
恒電位化（i-t曲線） ● ● ● ● ● ●
恒電流化 ● ● ● ● ●
動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線） ● ● ● ● ● ●
動(dòng)電流掃描（DGP） ● ● ● ● ●
暫態(tài)化 意恒電位階梯波 ● ● ● ● ● ●
意恒電流階梯波 ● ● ● ● ●
恒電位階躍（VSTEP） ● ● ● ● ● ●
恒電流階躍（ISTEP） ● ● ● ● ●
快速電位脈沖 ●
快速電流脈沖 ●
計(jì)時(shí)分析 計(jì)時(shí)電位法（CP） ● ● ● ●
計(jì)時(shí)電流法（CA） ● ● ● ●
計(jì)時(shí)電量法（CC） ● ● ● ●
伏安分析 線性掃描伏安法（LSV） ● ● ● ● ● ●
線性循環(huán)伏安法（CV） ● ● ● ● ● ●
階梯循環(huán)伏安法（SCV） ● ● ●
方波伏安法（SWV） ● ● ●
差分脈沖伏安法（DPV） ● ● ●
常規(guī)脈沖伏安法（NPV） ● ● ●
常規(guī)差分脈沖伏安法（DNPV） ● ● ●
交流伏安法（ACV） ● ● ●
二次諧波交流伏安（SHACV） ● ● ●
溶出伏安 恒電位溶出伏安 ● ● ●
線性溶出伏安 ● ● ●
階梯溶出伏安 ● ● ●
方波溶出伏安 ● ● ●
交流阻抗 電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描 ● ● ●
電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描 ● ● ●
電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描（Mott-Schottky曲線） ● ● ●
腐蝕測(cè)量 循環(huán)化曲線（CPP） ● ● ● ● ● ●
線性化曲線（LPR） ● ● ● ● ● ●
電化學(xué)噪聲（EN） ● ● ● ● ● ●
電偶腐蝕測(cè)量（ZRA） ● ● ● ● ● ●
氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）* ● ● ● ● ● ●
電池測(cè)量 電池充放電測(cè)試 ● ● ● ● ●
恒電流充放電 ● ● ● ● ●
光電測(cè)量 電致調(diào)光測(cè)量 * ● ●
光譜儀測(cè)量 * ● ●
擴(kuò)展測(cè)量 盤環(huán)電測(cè)試 * ● ● ● ●
數(shù)字記錄儀 ● ● ● ● ● ●
波形發(fā)生器 ● ● ● ●
圓盤電機(jī)控制 ● ● ● ●
注： * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A恒流源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。
* 光電測(cè)量能用戶選配。
* 產(chǎn)品3年質(zhì)保。
儀器配置：
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）測(cè)試與分析軟件1套
3）電解池（含鹽橋和排氣管）1套
4）輔助、參比、作電各1支
5）模擬電解池1個(gè)
6）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
7）電電纜線1條
8）電架（選配 *）
9）屏蔽箱（選配 *）
10）電腦（選配 *）
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